Product overview
- Product number
- GC3M0060065D
- Existing quantity
- 30
- manufacturer
- SUPSiC(国晶微半导体)
- Product Category
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
- product description
Product Details
- Rohs :
- 分类 :
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
- 包装 :
- 管装
- 参数 :
- 沟道类型:1个N沟道,漏源击穿电压(Vds):650V,连续漏极电流(Id):29A,耗散功率(Pd):150W
- 封装 :
- TO247-3
- 标题 :
- GC3M0060065D
- 近期约售 :
- 12