Product overview
- Product number
- HC1M60120D
- Existing quantity
- 30
- manufacturer
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- Product Category
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
- product description
Product Details
- Rohs :
- ROHS
- 分类 :
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
- 包装 :
- 管装
- 参数 :
- 沟道类型:1个N沟道,漏源击穿电压(Vds):1200V,连续漏极电流(Id):40A,耗散功率(Pd):214W
- 封装 :
- TO-247
- 标题 :
- ID:40A VDSS:1200V RDON:60mR N沟道
- 近期约售 :
- 0
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