Product overview
- Product number
- HYG022N10NS1TA
- Existing quantity
- 1,200
- manufacturer
- HUAYI(华羿微)
- Product Category
- 场效应管(MOSFET)
- product description
Product Details
- Rohs :
- 分类 :
- 场效应管(MOSFET)
- 包装 :
- 编带
- 参数 :
- 类型:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(Id):249A,导通电阻(RDS(on)):2.2mΩ@10V,50A
- 封装 :
- TOLL
- 标题 :
- N沟道增强型MOSFET,电流:249A,耐压:100V
- 近期约售 :
- 43
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