产品概览

产品型号
GA10SICP12-263
现有数量
50
制造商
GeneSiC Semiconductor
产品类别
碳化硅场效应管(MOSFET)
产品描述

产品详情

Rohs :
分类 :
碳化硅场效应管(MOSFET)
包装 :
管装
参数 :
漏源击穿电压(Vds):1200V,连续漏极电流(Id):25A,耗散功率(Pd):170W
封装 :
TO-263-7
标题 :
GA10SICP12-263
近期约售 :
0
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