产品概览

产品型号
GC3M0060065D
现有数量
30
制造商
SUPSiC(国晶微半导体)
产品类别
碳化硅场效应管(MOSFET)
产品描述

产品详情

Rohs :
分类 :
碳化硅场效应管(MOSFET)
包装 :
管装
参数 :
沟道类型:1个N沟道,漏源击穿电压(Vds):650V,连续漏极电流(Id):29A,耗散功率(Pd):150W
封装 :
TO247-3
标题 :
GC3M0060065D
近期约售 :
12
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