产品概览
产品详情
- Rohs :
- 分类 :
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
- 包装 :
- 管装
- 参数 :
- 沟道类型:1个N沟道,漏源击穿电压(Vds):1200V,连续漏极电流(Id):39A,耗散功率(Pd):169W
- 封装 :
- TO-263-7L
- 标题 :
- S1M075120J2
- 近期约售 :
- 11
采购与价格
您可能在找
- S1M007120PD
- S1M014120H
- S1M025T-12.000-M ¥7.0851
- S1M025T-12.000-R
- S1M025T-12.000-X-M ¥7.0851
推荐产品
- S1M007120PD
- S1M014120H
- S1M025T-12.000-M ¥7.0851
- S1M025T-12.000-R
- S1M025T-12.000-X-M ¥7.0851
在线客服1
微信客服6
