产品概览

产品型号
HC1M60120D
现有数量
30
制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
产品类别
碳化硅场效应管(MOSFET)
产品描述

产品详情

Rohs :
ROHS
分类 :
碳化硅场效应管(MOSFET)
包装 :
管装
参数 :
沟道类型:1个N沟道,漏源击穿电压(Vds):1200V,连续漏极电流(Id):40A,耗散功率(Pd):214W
封装 :
TO-247
标题 :
ID:40A VDSS:1200V RDON:60mR N沟道
近期约售 :
0
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