产品概览

产品型号
TP65H070LDG
现有数量
60
制造商
Transphorm
产品类别
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
产品描述

产品详情

Rohs :
分类 :
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
包装 :
管装
参数 :
沟道类型:1个N沟道,漏源击穿电压(Vds):650V,连续漏极电流(Id):25A,耗散功率(Pd):96W
封装 :
PQFN-3(8x8)
标题 :
TP65H070LDG
近期约售 :
0
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