产品概览
产品详情
- Rohs :
- 分类 :
- 场效应管(MOSFET)
- 包装 :
- 编带
- 参数 :
- 漏源电压(Vdss):100V,导通电阻(RDS(on)):185mΩ@10V,4A,耗散功率(Pd):2.5W,阈值电压(Vgs(th)):4V
- 封装 :
- SOP-8
- 标题 :
- 双通道N/P沟道MOSFET,电流:5A,耐压:100V
- 近期约售 :
- 0
采购与价格
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