产品概览

产品型号
SIDR610EP-T1-RE3
现有数量
3,000
制造商
VISHAY(威世)
产品类别
场效应管(MOSFET)
产品描述

产品详情

Rohs :
ROHS
分类 :
场效应管(MOSFET)
包装 :
编带
参数 :
类型:1个N沟道,漏源电压(Vdss):200V,连续漏极电流(Id):39.6A;8.9A,导通电阻(RDS(on)):31.9mΩ@10V,10A
封装 :
-
标题 :
1个N沟道 耐压:200V 电流:8.9A 电流:39.6A
近期约售 :
0
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