产品概览

产品型号
STGD3NB60SDT4
现有数量
2,500
制造商
ST(意法半导体)
产品类别
IGBT管/模块
产品描述

产品详情

Rohs :
ROHS
分类 :
IGBT管/模块
包装 :
编带
参数 :
集射极击穿电压(Vces):600V,耗散功率(Pd):48W,栅极电荷量(Qg):18nC,开启延迟时间(Td(on)):125us
封装 :
DPAK
标题 :
STGD3NB60SDT4
近期约售 :
0

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