Product overview
- Product number
- INN650DA04
- Existing quantity
- 2,500
- manufacturer
- Innoscience(英诺赛科)
- Product Category
- 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
- product description
Product Details
- Rohs :
- 分类 :
- 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
- 包装 :
- 编带
- 参数 :
- 沟道类型:1个N沟道,漏源击穿电压(Vds):650V,连续漏极电流(Id):7A,耗散功率(Pd):39W
- 封装 :
- DFN(5x6)
- 标题 :
- 氮化镓MOS管
- 近期约售 :
- 51
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