Product overview

Product number
HYG400P10LR1B
Existing quantity
800
manufacturer
HUAYI(华羿微)
Product Category
场效应管(MOSFET)
product description

Product Details

Rohs :
分类 :
场效应管(MOSFET)
包装 :
编带
参数 :
漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(Id):40A,导通电阻(RDS(on)):42mΩ@10V,20A,耗散功率(Pd):100W
封装 :
TO-263-2
标题 :
P沟道增强型MOSFET,电流:-40A,耐压:-100V
近期约售 :
6
Online service
Hotline
0512-57509905