产品概览

产品型号
HC3M0045065D
现有数量
30
制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
产品类别
碳化硅场效应管(MOSFET)
产品描述

产品详情

Rohs :
ROHS
分类 :
碳化硅场效应管(MOSFET)
包装 :
管装
参数 :
沟道类型:1个N沟道,漏源击穿电压(Vds):650V,连续漏极电流(Id):49A,阈值电压(Vgs(th)):2V
封装 :
TO-247
标题 :
ID:49A VDSS:650V RDON:33mR N沟道
近期约售 :
2
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