产品概览

产品型号
HC3M0015065K
现有数量
30
制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
产品类别
碳化硅场效应管(MOSFET)
产品描述

产品详情

Rohs :
ROHS
分类 :
碳化硅场效应管(MOSFET)
包装 :
管装
参数 :
漏源击穿电压(Vds):650V,连续漏极电流(Id):120A,耗散功率(Pd):416W
封装 :
TO-247-4L
标题 :
ID:120A VDSS:650V RDON:15mR N沟道
近期约售 :
5
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