产品概览

产品型号
INN650D260A
现有数量
2,500
制造商
Innoscience(英诺赛科)
产品类别
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
产品描述

产品详情

Rohs :
分类 :
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
包装 :
编带
参数 :
沟道类型:1个N沟道,漏源击穿电压(Vds):650V,连续漏极电流(Id):22A,耗散功率(Pd):75W
封装 :
DFN(8x8)
标题 :
INN650D260A
近期约售 :
17
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