产品概览
产品详情
- Rohs :
- 分类 :
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
- 包装 :
- 编带
- 参数 :
- 沟道类型:1个N沟道,漏源击穿电压(Vds):650V,连续漏极电流(Id):40A,耗散功率(Pd):417W
- 封装 :
- VDFN-8-Power
- 标题 :
- SCTL35N65G2V
- 近期约售 :
- 0
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