产品概览

产品型号
CSD85302L
现有数量
3,000
制造商
TI(德州仪器)
产品类别
场效应管(MOSFET)
产品描述

产品详情

Rohs :
ROHS
分类 :
场效应管(MOSFET)
包装 :
编带
参数 :
类型:2个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.7W,栅极电荷量(Qg):7.8nC@4.5V
封装 :
PicostAr-4(1.3x1.3)
标题 :
2个N沟道 耐压:20V
近期约售 :
2
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