产品概览

产品型号
SE2N60B
现有数量
2,500
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
产品类别
场效应管(MOSFET)
产品描述

产品详情

Rohs :
分类 :
场效应管(MOSFET)
包装 :
编带
参数 :
漏源电压(Vdss):600V,连续漏极电流(Id):2A,导通电阻(RDS(on)):3.4Ω@10V,1A,耗散功率(Pd):33W
封装 :
TO-252
标题 :
N沟道增强型MOSFET,电流:2A,耐压:600V
近期约售 :
0
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