产品概览

产品型号
WMB043N10LGS
现有数量
3,000
制造商
Wayon(上海维安)
产品类别
场效应管(MOSFET)
产品描述

产品详情

Rohs :
分类 :
场效应管(MOSFET)
包装 :
编带
参数 :
漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(Id):120A,导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ@10V,耗散功率(Pd):131.6W
封装 :
DFN-8L(5x6)
标题 :
100V N沟道增强型功率MOSFET,电流:120A,耐压:100V
近期约售 :
5
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