Product overview

Product number
HYG110P04LQ2C2
Existing quantity
5,000
manufacturer
HUAYI(华羿微)
Product Category
场效应管(MOSFET)
product description

Product Details

Rohs :
分类 :
场效应管(MOSFET)
包装 :
编带
参数 :
类型:1个P沟道,漏源电压(Vdss):40V,连续漏极电流(Id):55A,导通电阻(RDS(on)):9mΩ@10V
封装 :
PDFN-8(5.9x5.2)
标题 :
单通道P沟道增强型MOSFET,电流:-55A,耐压:-40V
近期约售 :
74
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Hotline
0512-57509905