Product overview

Product number
HYG110N11LS1C2
Existing quantity
5,000
manufacturer
HUAYI(华羿微)
Product Category
场效应管(MOSFET)
product description

Product Details

Rohs :
分类 :
场效应管(MOSFET)
包装 :
编带
参数 :
漏源电压(Vdss):115V,连续漏极电流(Id):60A,导通电阻(RDS(on)):9.8mΩ@10V,20A,耗散功率(Pd):71.4W
封装 :
PDFN-8(4.9x5.8)
标题 :
单N沟道,电流:60A,耐压:115V
近期约售 :
2
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Hotline
0512-57509905